Rubrica IEEE-News

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Rivista Computer IEEE, dicembre 2008
(Institute of Electrical and Electronical Engineering)

Sezione: tecnologie elettriche ed elettroniche

IEEE News Dicembre 2008: speciale Memristore
Come riferisce la rivista inglese New Electronics on Campus, nel numero d'autunno, ricercatori dei laboratori HP hanno dimostrato la fattibilità di un nuovo componente elettrico, il memristor (memristore). L'idea risale in verità al 1971 e al lavoro del professor Leon Chua del dipartimento di elettrotecnica e informatica dell'università di Berkeley in California.
Secondo una ricostruzione storica, il primo componente ad essere stato introdotto è il condensatore dopo gli esperimenti di elettrostatica del 1700. Il secondo, intorno al 1820 fu il resistore: Ohm sperimentò la costanza a pari temperatura del rapporto tensione / corrente.
Negli stessi anni Faraday introdusse il terzo componente: l'induttore o bobina. Ora sembra che si sia arrivati al quarto componente base, il memristore. Si parla anche per questo dispositivo di anello mancante fra il semplice resistore e il componente attivo transistor. Come è noto il transistor (o 2 transistor connessi in un circuito bistabile spesso chiamato flip flop), è in grado di realizzare un logico Not e anche di memorizzare un bit di informazione, cioè uno zero o un uno (ON - OFF).
La tecnologia sempre si sforza di far stare in un circuito integrato il maggior numero di elementi di memoria: in questi giorni, ad esempio, si vendono chiavette USB 2.2 da 64 G Bytes (circa 64 miliardi di caratteri). Il memristore, se avrà successo, potrebbe moltiplicare per 10 il numero di celle di memoria di un chip.
In breve il memristor usa il biossido di titanio invece del silicio. Una tensione può rimuovere gli atomi di ossigeno aumentando di colpo la conducibilità. In assenza di questa tensione il materiale torna semiconduttore o isolante. La lavorazione richiede tecniche di nanotecnologia.

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